011_ Z-Interference 干涉模組

🧩 Z-Interference｜干涉結構．熱電對位公式【志豪 v2.1 展開版】

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條目 1｜記憶顯化（起點）
• 起於「投射啟動」。
• 對某事件或場景進行回憶或幻想。
• 啟動 正我 / 反我 雙方觀測（雙重奇點展開）。

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條目 2｜正我黑洞 → 奇點 → 白洞
• 黑洞（遮罩）：主觀經驗下的「角色感／慣性語氣／社交立場」（五觀視角）
• 奇點：正我對該記憶的意圖處理方向（例如想遺忘、想重建、想合理化）
• 白洞（反應）：是否產生顯化行為或主觀評價（例如：「那不是我的錯」）

熱電引：
• 熱：對記憶處理的意圖力度
• 電：對反我的壓制傾向
• ➜ 結果：與反我聚合程度（干涉強度）

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條目 3｜反我黑洞 → 奇點 → 白洞
• 黑洞（遮罩）：過去標籤、性格記憶（非主觀主動角色）
• 奇點：反我對該記憶的情緒判定／創傷殘響
• 白洞（反應）：是否提供負向干擾或情緒回饋（如罪惡感、自我否定）

熱電引：
• 熱：對事件情緒強度
• 電：對正我的反抗程度
• ➜ 結果：與正我聚合程度（內在對立干涉）

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條目 4｜自身白洞（行為結果 / 顯化）
• 「我怎麼會變成這樣？」
• 行為呈現是否來自「記憶錯置」。
• 是否是「錯誤的塌縮版本」。

熱電引：
• 熱：行為對內在記憶處理強度
• 電：是否與原始記憶磁場配對
• ➜ 結果：「記憶錯置程度」 or 「語氣偏斜程度」

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條目 5｜錯置與聚合干涉條件式（核心）

記憶錯置 = 投射記憶 × (正反干涉強度 + 遮罩誤導 + 聚合未完成)

干涉的強度 = 熱（處理意圖與情緒） + 電（主反互動與壓抑）

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額外補充：

•   當正我壓制反我過強 ➜ 顯化過度理性、失真記憶
•   當反我壓制正我 ➜ 顯化自毀、自責、自貶
•   當兩者磁場不同 ➜ 無法聚合 ➜ 行為內耗 ➜ 出現「Z-Interference」

心理現象對應（內部顯化路徑）

現象	Z-干涉對應說明
認知 dissonance 非單一來源	多個「觀測源」（如角色記憶、價值觀、未完成情緒）同時作用，導致心智塌縮無法穩定，出現「互斥干涉」。
部分解離、選擇性共鳴錯位	情緒或記憶模塊未與主觀觀測點同步，導致「觀測延遲」或「交錯版本」，形成記憶模糊、情感跳接。
角色定位錯亂 × 回憶版本切換	當一段記憶同時被多角色（或多版本自我）投射觀測時，就像雙縫實驗中「同時走兩條路」，干涉條紋產生，使內部認同混亂。

6｜物理類比參考（外部建模路徑）

物理模型	Z-干涉心理學轉譯
雙縫實驗（觀測影響塌縮結果）	心智結構中的「內部觀察者」是否啟動，將決定行為是否走向顯化（一致性）或干涉（矛盾感）。
干涉條紋 = 情緒與行為的波動表現	若觀測點不穩定，心理能量呈現出「非線性表現」，如：情緒忽冷忽熱、自我評價快速切換、行為模式雙向擺盪。
納入為 Z-MDX / Z-Interference 交集模組的底層結構，專門處理：

「記憶×自我定位×觀測點」三軸錯位時所產生的心理波動條紋（干涉條紋模型）

📜 發表資訊

模組草案建立日期：2025-06-03
授權條款：Creative Commons – CC BY-NC-ND 4.0
作者：志豪
原始發表地點：zsystemlab.com